簡(jiǎn)介：

GCIB-40 離子源系統(tǒng)是一種40 kV氣體團(tuán)簇離子束，產(chǎn)生團(tuán)簇離子聚焦束，用于需要對(duì)分子離子敏感的分析應(yīng)用。 

GCIB 40在較大程度地減少碎片和從表面去除完整分子方面具有優(yōu)異的處理能力。在40千伏電壓下工作的GCIB 40提供了優(yōu)異的電離產(chǎn)率，進(jìn)一步增強(qiáng)了分子信號(hào)。 

GCIB-40 離子源系統(tǒng)具有可選擇的簇大小，從單體到10000多個(gè)，斑點(diǎn)大小小于3µm，是分析完整分子離子的*工具，具 有高空間分辨率。

可在J105 SIM上使用，或作為選定第三方儀器的升級(jí)。請(qǐng)與我們聯(lián)系以獲取更多信息。

主要參數(shù)：

特點(diǎn):  

◇  40 kV氣體團(tuán)簇離子束，光斑尺寸為3µm；

◇  實(shí)時(shí)集群測(cè)量和調(diào)整；

◇  從單體到>10000的可選簇；

◇  使用一系列氣體運(yùn)行，包括Ar、CO2、Ar/CO2混合氣體；

◇  水源團(tuán)簇升級(jí)可用；

應(yīng)用技術(shù)： 

由于離子束和分子信號(hào)的丟失，有機(jī)樣品的SIMS分析通 常會(huì)導(dǎo)致碎片。使用GCIB，可以減少損傷，以便對(duì)材料進(jìn)行分析和深度剖面。

然而，在近束能量（<40 kV）下，GCIB的二次離子產(chǎn)額可能較低。在更高的能量下操作會(huì)產(chǎn)生更高的二次離子產(chǎn)率，同時(shí)仍然保持低損傷特性。

下圖顯示了在分析有機(jī)樣品時(shí)，離子產(chǎn)額如何與束流能量成比例。盡管一次離子劑量保持不變，但來自Irganox  1010薄膜的二次離子信號(hào)從20kV到40kV一次束能量增加了五倍以上。 同時(shí)，在所有的光束能量中，碎片幾乎保持不變。